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三星在华建40亿美元闪存芯片厂获韩政府批准

2012年01月04日 13:33 来源于 财新网
该计划目前还尚需获得中国商务部门的审批
三星公司旗帜。 PARK JI-HWAN / 东方IC

  【财新网】(综合媒体报道)路透社3日消息,三星拟耗资40亿美元在华建立闪存芯片厂的计划已获得韩国政府的批准。

  为防止高新技术的外泄,韩国企业在国外设厂需获得韩国相关部门的审批。此前2011年12月3日,三星便已对外宣布,为应对智能手机和平板电脑需求的强劲增长,公司拟计划在中国建立一家NAND闪存芯片厂,该工厂预计到2013年正式投产。

  路透社援引Gartner公司的研究数据称,目前中国市场对NAND闪存的需求约占全球闪存市场的一半,预计2012年中国NAND闪存市场的规模将达290亿美元,到2015年,中国市场NAND闪存需求将上升到全球总需求的55% ,而需求的增长主要是由中国手机制造商如华为和中兴所拉动。

责任编辑:王玉虎 | 版面编辑:林飞
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