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SK海力士获美国9.5亿美元补贴“大礼包” 加码先进存储

文|财新 杜知航
2024年08月07日 11:26
美国《芯片法案》补贴下,三星、美光、台积电、英特尔和SK海力士五大芯片巨头已在美国投资建厂
3月,SK海力士率先量产了最新的HBM技术HBM3e,并向英伟达供货。5月,SK海力士又表示最新的12层堆叠的HBM3e将在2024年三季度量产,并在四季度向客户交付,这一速度也领先竞争对手。

  【财新网】美国《芯片法案》补贴先进存储芯片。当地时间8月5日,美国商务部宣布,和韩国存储芯片企业SK海力士签署了一份不具约束力的初步条款备忘录(PMT),根据《芯片和科学法案》(CHIPS and Science Act)提供4.5亿美元的补贴,以在美国建立一个高带宽内存(HBM)先进封装制造和研发(R&D)设施。

  除了拟议的4.5亿美元的直接补贴外,美国商务部还计划向SK海力士提供高达5亿美元的拟议贷款。SK海力士还计划申请美国财政部的投资税收抵免,预计最高可达合格资本支出的25%。

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责任编辑:覃敏 | 版面编辑:刘春辉
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