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　　【财新网】

　　SK海力士启动全球首个321层QLC 闪存量产

　　SK海力士公司（简称“公司”，官网www.skhynix.com）今日宣布，已完成321层2Tb QLC NAND闪存产品的开发并启动量产。这一成果标志着全球首次实现QLC技术突破300层，树立了NAND存储密度的新标杆。公司计划在完成全球客户验证后，于明年上半年推出该产品。为最大化新产品的成本竞争力，SK海力士开发了2Tb容量的器件，是现有解决方案的两倍。针对大容量NAND可能出现的性能下降问题，公司将芯片内的独立操作单元——平面的数量从4个增加到6个。这实现了更强的并行处理能力，并显著提升了同时读取性能。