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高通发力端侧AI 推出3纳米可穿戴设备芯片

文|财新 顾昭玮 发自巴塞罗那
2026年03月03日 15:48
可穿戴设备正快速扩张,高通该芯片支持在手表、眼镜、胸针、挂坠等多形态终端上快速部署AI智能体能力
当地时间2026年3月2日,西班牙巴塞罗那,世界移动通信大会(MWC),高通展台展示6G技术。图:视觉中国

  【财新网】当地时间3 月 2 日,在巴塞罗那世界移动通信大会(MWC)期间,高通发布新一代面向可穿戴设备的旗舰级SoC(系统级芯片)Snapdragon Wear Elite(骁龙可穿戴平台至尊版),这是业内首枚采用3 纳米制程的可穿戴设备芯片,此前这一先进制程主要应用于高端手机与 PC (个人电脑)产品。

  市场层面,可穿戴设备正处于持续扩张阶段。市场咨询机构Fortune Business Insights数据显示,全球可穿戴技术市场规模预计由2026年的964亿美元增至2034年的2314亿美元,复合年均增长率为11.6%。按用途划分,健康与健身场景预计在2026年占据超过30%的市场份额。

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责任编辑:郭琼 | 版面编辑:肖子何
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